시설이용
장비 사용료
표를 양 옆으로 슬라이드하세요.
(금액: 원, 부가세 별도)
| 장비 | 사양 | 교내, 교외(대학/기업) | 비고 | ||
|---|---|---|---|---|---|
| Wafer | 공정조건 | 공정의뢰(표준요금) | 직접사용(50% 할인) | ||
| RTP | 조각~ 6inch | ~1000℃ | 80,000/시간 | 40,000/시간 |
- 열처리 후 cooling 시간 포함 - Organic 계열 물질 사용 불가 |
| Microwave | 조각~4inch | ~1000℃ | 80,000/시간 | 40,000/시간 |
- 열처리 후 cooling 시간 포함 - Organic 계열 물질 사용 불가 |
| LPCVD | 조각~4inch | (SiH4) SiO2 | 80,000/시간 | 40,000/시간 |
- Single type(400℃, 2시간/회 이내) - 증착 두께 500nm 이하 |
| PECVD | 조각~4inch | SiO2, Si3N4, SiON | 80,000/시간 | 40,000/시간 |
- Single type(300~500℃, 1.5시간/회 이내) - 증착 두께 500nm 이하 |
| Sputter | 조각~6inch | DC(4/6inch), RF(4inch) | 80,000/시간 | 40,000/시간 |
- Metal, Oxide - 증착 두께 250nm 이하 - Target 교체비용(100,000원) 추가 |
| ALD | 조각~6inch | SiOx, HfOx, ZrOx, AlOx | 100,000/시간 | 50,000/시간 |
- Single type - 증착 두께 50nm 이하 |
| Evaporator | 조각~4inch | Metal, Organic | 120,000/시간 | 60,000/시간 | - Target 종류는 담당자에게 문의 |
| Spin coater | 조각~6inch | PR coating | 40,000/시간 | 20,000/시간 | - PR, Developer 등 chemical과 Hot plate 사용 시간과 비용의 총 합계 |
| Mask aligner | 조각~4inch | (Manual) MA6 | 80,000/시간 | 40,000/시간 | - Aligner power On ~ Off 총 시간 |
| ICP Etcher | 조각~4inch | Si, SiO2, SiNx, Metal | 80,000/시간 | 40,000/시간 | - Etch depth 1um 이하 |
| Ellipsometer
4-point probe Alpha-step |
조각~6inch |
Thickness Rs Depth profile |
40,000/시간 | 20,000/시간 |
- 클린룸 입소생(장비 User 자격)은 무료 - 클린룸 입소생 이외의 사용자는 유료 - ZEUS 장비예약 필수 |
| Atomic Force Microscopy |
조각~2*2(cm2) | AFM (NCM mode) | - | 100,000/시편 | - Cantilever tip 개별지참 (연구소 팁 사용시 팁당 7만원 추가부가) |
| CFM, EFM, KPFM, PFM | - | 150,000/시편 | |||
| 기타 | 클린룸 입소 사용자는 Optical microscope, Wet station 무료 | ||||